歐姆龍激光光電開(kāi)關(guān)

**歐姆龍激光光電開(kāi)關(guān)，日本OMRON激光光電開(kāi)關(guān)選型參數
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激光型光電開(kāi)關(guān)與目前常用的非相干光型光電開(kāi)關(guān)雖同屬光電開(kāi)關(guān)一類(lèi)，
但由于它是由相干性極強的半導體激光器制成，與后者相比，有著(zhù)檢測距離遠、探測位置精度*、可供選用的波長(cháng)范圍寬，
即從可見(jiàn)光到紅外波段多達十余種品種等顯著(zhù)的優(yōu)點(diǎn)，因而有著(zhù)十分廣闊的新的應用領(lǐng)域。
半導體激光器是利用半導體晶體材料產(chǎn)生激光的器件，它和其他激光器一樣，具有相干性*、方向性強、發(fā)散角小、
亮度*等特點(diǎn)，并且還有著(zhù)體積小、效率*、調制方便等獨特的優(yōu)點(diǎn)。
因而，這一產(chǎn)品在集成光學(xué)、光纖通信、光纖傳感、激光測距、光貯存、激光印刷、**工程等領(lǐng)域有著(zhù)廣泛應用。
利用半導體激光器制作光電開(kāi)關(guān)，是其在光電傳感技術(shù)方面的一個(gè)成功用例導體激光二極管的基本結構如圖所示，
垂直于結面的一對平行平面構成法布里——珀羅諧振腔，它們可以是半導體晶體的解理面
也可以是經(jīng)過(guò)拋光的平面。其余兩側面則相對粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。
半導體中的光發(fā)射通常起因于載流子的復合。當半導體的結加有正向電壓時(shí)，會(huì )削弱結勢壘，迫使電子從區經(jīng)結注入區，
空穴從區經(jīng)過(guò)結注入區，這些注入結附近的非平衡電子和空穴將會(huì )發(fā)生復合，從而發(fā)射出波長(cháng)為λ的光子，其公式如下：
λ式中—普朗克常數；—光速；—半導體的禁帶寬度。
上述由于電子與空穴的自發(fā)復合而發(fā)光的現象稱(chēng)為自發(fā)輻射。當自發(fā)輻射所產(chǎn)生的光子通過(guò)半導體時(shí)，一旦經(jīng)過(guò)已發(fā)射的電子—空穴對附近，
就能激勵二者復合，產(chǎn)生新光子，這種光子誘使已激發(fā)的載流子復合而發(fā)出新光子現象稱(chēng)為受激輻射。
如果注入電流足夠大，則會(huì )形成和熱平衡狀態(tài)相反的載流子分布，即粒子數反轉。當有源層內的載流子在大量反轉情況下，
少量自發(fā)輻射產(chǎn)生的光子由于諧振腔兩端面往復反射而產(chǎn)生感應輻射，造成選頻諧振正反饋，或者說(shuō)對某一頻率具有增益。
當增益大于吸收損耗時(shí)，就可從結發(fā)出具有良*譜線(xiàn)的相干光——激光，這就是激光二極管的簡(jiǎn)單原理。
隨著(zhù)技術(shù)和工藝的發(fā)展，目前實(shí)際使用的半導體激光二極管具有復雜的多層結構。
圖為日本三洋公司的紅光半導體激光二極管的結構。

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