日本松下光電傳感器，詳細資料
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產(chǎn)品名稱(chēng): 日本松下光電傳感器，詳細資料
產(chǎn)品型號: -
產(chǎn)品展商: 神視SUNX
產(chǎn)品文檔: 無(wú)相關(guān)文檔
簡(jiǎn)單介紹
日本松下光電傳感器，詳細資料
PNP無(wú)接點(diǎn)輸入
?輸入條件
無(wú)效：0～+0.6V DC或開(kāi)路
有效：+4～+V DC
光源 紅色半導體激光 2級[JIS/IEC/GB/FDA(注2)]
大輸出：1mW、投光波峰波長(cháng)：655nm
光束直徑
(注3) 約?300μm 約?500μm
電源電壓 12～24V DC±10% 脈動(dòng)P-P10%以下
? 輸入阻抗：約10kΩ
污損度 2
使用標* 2,000m以下
使用環(huán)境
溫度 -10～+45℃(注意不可結露、結冰)、儲存時(shí)：-20～+60℃
使用環(huán)境
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的詳細介紹
日本松下光電傳感器，詳細資料
電纜 0.2mm2 5芯復合電纜，長(cháng)2m
延長(cháng)電纜 0.3mm2以上電纜 多延長(cháng)至全長(cháng)10m
材質(zhì) 本體外殼：壓鑄鋁 前罩：丙烯基
重量 本體重量：約35g(不含電纜)，約85g(含電纜)
(注1): 未**測量條件時(shí)，使用條件如下：電源電壓：24V DC 環(huán)境溫度：+20℃ 響應時(shí)間：10ms、測量中心距離的模擬輸出值。對象物體：白色陶瓷。
(注2): 根據FDA規則中Laser Notice No.50(2007.6.24)規定，以FDA規則(21 CFR 1040.10以及1040.11)為基準。
(注3): 測量中心距離的大小。按照中心光強度的1/e2(約13.5%)定義。
如果定義區域外有漏光，并且檢測點(diǎn)范圍有*于檢測點(diǎn)本身的強反射，測定結果可能會(huì )受到影響。
(注4): 從2016年6月的產(chǎn)品開(kāi)始進(jìn)行規格變更。<PNP輸出型>
PNP開(kāi)路集電極晶體管
大流入電流：50mA
外加電壓：30V DC以下(控制輸出-+V之間)
剩余電壓：1.5V以下(流出電流50mA時(shí))
消耗電流(注4) 40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、65mA以下(電源電壓12V DC時(shí))
控制輸出 <NPN輸出型>
NPN開(kāi)路集電極晶體管
大流入電流：50mA
漏電流：0.1mA以下
輸出動(dòng)作 入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON 可切換
短路保護 配備(自動(dòng)恢復)
模擬輸出 模擬電壓輸出 ?輸出范圍：0～5V(報警時(shí)：+5.2V)
?輸出阻抗：100Ω
模擬電流輸出(注5) ?輸出范圍：4～20mA(報警時(shí)：0mA)
?輸出阻抗：300Ω
反應時(shí)間 1.5ms／5ms／10ms 可切換
外部輸入 〈NPN輸出型〉
NPN無(wú)接點(diǎn)輸入
?輸入條件
無(wú)效：+8～+V DC或開(kāi)路
有效：0～+1.2V DC
?輸入阻抗：約10kΩ
<PNP輸出型>
PNP無(wú)接點(diǎn)輸入
?輸入條件
無(wú)效：0～+0.6V DC或開(kāi)路
有效：+4～+V DC
光源 紅色半導體激光 2級[JIS/IEC/GB/FDA(注2)]
大輸出：1mW、投光波峰波長(cháng)：655nm
光束直徑
(注3) 約?300μm 約?500μm
電源電壓 12～24V DC±10% 脈動(dòng)P-P10%以下
? 輸入阻抗：約10kΩ
污損度 2
使用標* 2,000m以下
使用環(huán)境
溫度 -10～+45℃(注意不可結露、結冰)、儲存時(shí)：-20～+60℃
使用環(huán)境
濕度 35%RH～85%RH、儲存時(shí)：35%RH～85%RH
外加電壓：30V DC以下(控制輸出-0V之間)
剩余電壓：1.5V以下(流入電流50mA時(shí))
漏電流：0.1mA以下
使用環(huán)境
照度 白熾燈：受光面照度3,000 lx以下
耐振動(dòng) 耐久10～55Hz(周期1分鐘) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時(shí)
耐沖擊 耐久500m/s2(約50G) XYZ各方向3次
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